德扑之星(中国区)官方网站

微型PECVD系统选拔Φ 3“ × 16“ 的石英腔体，内部设有加热圈对样品进行加热，Z高温度没关系达到400℃，且选拔步骤化控温，系统还配有二通道混气装置和双旋刻板泵，整套系统安放于搬动架上，便于测试操作。本系统系对于薄膜滋长和纳米线的制作是Z佳的拔取。

升温CVD编制RTP-1000-F3LV是半导体基片、太阳能电池及另外样品的退火而设计，配有三路流量计和呆板泵。本机采用 9KW的红外灯进行加热，Z快升温速度可达 100℃/s，配有RS485 接口，不妨通过控制软件在计算机上控制运行并表现温度曲线。

开启式单温区低真空CVD体例OTF-1200X-F3LV是由开启式单温区管式炉、板滞泵、三通道浮子混气体例组成，可为CVD或扩散实验供应1-3种的混合气体，真空度可达10-2torr。

高真空CVD系统OTF-1200X-80-C2HV是由单温区管式炉、两路质子混气系统和高真空机组组成，Z高工作温度可达1200℃，混气系统不妨对两种气体进行精确的混气，然后导入管式炉内部，本系统极限真空度可达10-5 torr。

1200℃双管滑动式四通道混气CVD体例OTF-1200X-4-C4LV是专门为在金属箔表面发展薄膜而设计的，是应用在新一代能源—柔性金属箔电极方面的研究。

高真空飞速CVD系统OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP炉、三通道混气系统和高真空机组组成，可进行半导体基片、太阳能电池及其它样品的退火，并拔取 10KW的红外灯进行加热，Z快升温速度可达 120℃/s，配有RS485 接口，不妨通过控制软件在计算机上控制运行并呈现温度曲线。